PTFA210451E

更新时间： 2024-11-23 06:05:43

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英飞凌 - INFINEON		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz

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PTFA210451E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e4
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	GOLD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTFA210451E 数据手册

PTF210451E

PTF210451F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz

Description

The PTF210451E and PTF210451F are 45-watt internally-matched

GOLDMOS^®FETs intended for TD-SCDMA applications from 2010

to 2025 MHz, and WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz.

Thermally-enhanced packaging provides the coolest operation

available. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and

reliability.

PTF210451E

Package H-30265-2

PTF210451F

Package H-31265-2

Features

3-Carrier TD-SCDMA Drive-up

V_DD= 28 V, I_DQ= 580 mA, ƒ_C= 2017.5 MHz

•

Thermally-enhanced packages, Pb-free and

RoHS-compliant

Efficiency

Adj Low er

Adj Upper

Alt Low er

Alt Upper

•

Internal matching for wideband performance

-38

-42

-46

-50

-54

-58

Typical three-carrier TD-SCDMA performance

- Average output power = 3 W

- Gain = 14 dB

- Efficiency = 12.5%

- ACPR = –50 dBc

•

Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 50 W

- Linear gain = 14 dB

- Efficiency = 53%

Integrated ESD protection: Human Body Model,

Class 1 (minimum)

•

Excellent thermal stability

Low HCI Drift

0.0

3.0

6.0

9.0

Output Power (W)

Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 45 W

(CW) output power

RF Characteristics

WCDMA Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)

= 28 V, I = 500 mA, P = 11.5 W AVG

OUT

ƒ = 2140 MHz, ƒ = 2150 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz, peak/average = 8 dB @ 0.01% CCDF

Characteristic

Symbol

Min

—

Typ

–37

Max

—

Unit

dBc

Intermodulation Distortion

Gain

IMD

—

Drain Efficiency

—

*See Infineon distributor for future availability.

All published data at T

= 25°C unless otherwise indicated

CASE

ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!

Data Sheet 1 of 10

Rev. 06, 2008-02-13

12 3 4 5 6 7...10

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