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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PTFA210701E
PTFA210701E PDF预览

PTFA210701E

更新时间： 2024-11-23 06:05:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体射频场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 380K
描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 70 W, 2110 – 2170 MHz

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PTFA210701E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：GREEN, PACKAGE H-30265-2, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTFA210701E 数据手册

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PTFA210701E  
PTFA210701F  
Confidential, Limited Internal Distribution  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET  
70 W, 2110 – 2170 MHz  
Description  
The PTFA210701E and PTFA210701F are 70-watt LDMOS FETs  
designed for single- and dual-carrier WCDMA power amplifier  
applications in the 2110 MHz to 2170 MHz band. Features include  
input and output matching, and thermally-enhanced packages with  
slotted or earless flanges. Manufactured with Infineon's advanced  
LDMOS process, these devices provide excellent thermal  
performance and superior reliability.  
PTFA210701E  
Package H-36265-2  
PTFA210701F  
Package H-37265-2  
Features  
Two-carrier WCDMA Drive-up  
VDD = 30 V, IDQ = 550 mA, ƒ = 2140 MHz, 3GPP WCDMA  
signal, P/A R = 8 dB, 10 MHz carrier spacing  
•
Thermally-enhanced packages, Pb-free and  
RoHS-compliant  
•
•
Broadband internal matching  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
-60  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Typical two-carrier WCDMA performance at  
2140 MHz, 30 V  
- Average output power = 42 dBm  
- Linear Gain = 16.5 dB  
- Efficiency = 27.0%  
- Intermodulation distortion = –37 dBc  
- Adjacent channel power = –42.5 dBc  
Efficiency  
IM3  
ACPR  
•
•
Typical CW performance, 2170 MHz, 30 V  
- Output power at P–1dB = 80 W  
- Efficiency = 58%  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
30  
32  
34  
36  
38  
40  
42  
44  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
Average Output Power (dBm)  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V,  
70 W (CW) output power  
RF Characteristics  
WCDMA Measurements (tested in Infineon test fixture)  
= 30 V, I = 550 mA, P = 18 W average  
V
DD  
DQ  
OUT  
ƒ = 2135 MHz, ƒ = 2145 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz, peak/average = 8 dB @ 0.01% CCDF  
1
2
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
15.5  
28  
Typ  
16.5  
29  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
hD  
—
%
Intermodulation Distortion  
IMD  
—
–36.5  
–35.5  
dBc  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 10  
Rev. 02.1, 2009-02-18  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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