5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PTFA210701F
PTFA210701F PDF预览

PTFA210701F

更新时间： 2024-11-19 06:05:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 射频
页数 文件大小 规格书
10页 380K
描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 70 W, 2110 – 2170 MHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

PTFA210701F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, H-37265-2, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：S-CDFP-F2
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTFA210701F 数据手册

 浏览型号PTFA210701F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PTFA210701F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PTFA210701F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PTFA210701F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PTFA210701F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PTFA210701F的Datasheet PDF文件第7页 
PTFA210701E  
PTFA210701F  
Confidential, Limited Internal Distribution  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET  
70 W, 2110 – 2170 MHz  
Description  
The PTFA210701E and PTFA210701F are 70-watt LDMOS FETs  
designed for single- and dual-carrier WCDMA power amplifier  
applications in the 2110 MHz to 2170 MHz band. Features include  
input and output matching, and thermally-enhanced packages with  
slotted or earless flanges. Manufactured with Infineon's advanced  
LDMOS process, these devices provide excellent thermal  
performance and superior reliability.  
PTFA210701E  
Package H-36265-2  
PTFA210701F  
Package H-37265-2  
Features  
Two-carrier WCDMA Drive-up  
VDD = 30 V, IDQ = 550 mA, ƒ = 2140 MHz, 3GPP WCDMA  
signal, P/A R = 8 dB, 10 MHz carrier spacing  
•
Thermally-enhanced packages, Pb-free and  
RoHS-compliant  
•
•
Broadband internal matching  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
-60  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Typical two-carrier WCDMA performance at  
2140 MHz, 30 V  
- Average output power = 42 dBm  
- Linear Gain = 16.5 dB  
- Efficiency = 27.0%  
- Intermodulation distortion = –37 dBc  
- Adjacent channel power = –42.5 dBc  
Efficiency  
IM3  
ACPR  
•
•
Typical CW performance, 2170 MHz, 30 V  
- Output power at P–1dB = 80 W  
- Efficiency = 58%  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
30  
32  
34  
36  
38  
40  
42  
44  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
Average Output Power (dBm)  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V,  
70 W (CW) output power  
RF Characteristics  
WCDMA Measurements (tested in Infineon test fixture)  
= 30 V, I = 550 mA, P = 18 W average  
V
DD  
DQ  
OUT  
ƒ = 2135 MHz, ƒ = 2145 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz, peak/average = 8 dB @ 0.01% CCDF  
1
2
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
15.5  
28  
Typ  
16.5  
29  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
hD  
—
%
Intermodulation Distortion  
IMD  
—
–36.5  
–35.5  
dBc  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 10  
Rev. 02.1, 2009-02-18  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与PTFA210701F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA210701F-70W INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor
PTFA210701FV4 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
PTFA211001E INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 2110-2170 MHz
PTFA211001F INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA211801E INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 1
PTFA211801E_11 INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 2110-2170 MHz
PTFA211801E-180W INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor
PTFA211801EV5R0 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA211801EV5R0XTMA1 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA211801EV5R250 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与PTFA210701F相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证