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Datasheet > PPF9130EE3
PPF9130EE3 PDF预览

PPF9130EE3

更新时间： 2024-11-07 20:44:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-5

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PPF9130EE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-PQCC-N3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PQCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PPF9130EE3 数据手册

 浏览型号PPF9130EE3的Datasheet PDF文件第2页 
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PPF9130G MICROSEMI

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