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PPFL2203G PDF预览

PPFL2203G

更新时间： 2024-11-07 15:48:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2

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PPFL2203G 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-CSSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PPFL2203G 数据手册

 浏览型号PPFL2203G的Datasheet PDF文件第2页 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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