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Datasheet > PPFL2203GE3

PPFL2203GE3 PDF预览

PPFL2203GE3

更新时间： 2024-11-07 15:48:15

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2

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技术参数
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PPFL2203GE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PPFL2203GE3 数据手册

浏览型号PPFL2203GE3的Datasheet PDF文件第2页

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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