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Datasheet > PPFL2203ME3
PPFL2203ME3 PDF预览

PPFL2203ME3

更新时间： 2024-11-25 19:51:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

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PPFL2203ME3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PPFL2203ME3 数据手册

 浏览型号PPFL2203ME3的Datasheet PDF文件第2页 
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与PPFL2203ME3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPFL3103E MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
PPFL3103G MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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PPFP190802 HAMMOND

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PPFP190803 HAMMOND

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PPFP190803BK1 HAMMOND

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 		FAN PANEL ASSEMBLY W/3 HOLES

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