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Datasheet > PPFL3103GE3
PPFL3103GE3 PDF预览

PPFL3103GE3

更新时间： 2024-11-07 19:42:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2

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PPFL3103GE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-CSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PPFL3103GE3 数据手册

 浏览型号PPFL3103GE3的Datasheet PDF文件第2页 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPFL3803M MICROSEMI

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