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Datasheet > PPF9140E

PPF9140E PDF预览

PPF9140E

更新时间： 2024-11-07 19:54:15

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-5

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技术参数
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PPF9140E 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-PQCC-N3
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	19 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PQCC-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PPF9140E 数据手册

浏览型号PPF9140E的Datasheet PDF文件第2页

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PPF9140GE3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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