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PPFG50M

更新时间： 2024-11-09 21:15:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

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PPFG50M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-254AA
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：5.6 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PPFG50M 数据手册

 浏览型号PPFG50M的Datasheet PDF文件第2页 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPFG50ME3 MICROSEMI

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