5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > PPF234EE3
PPF234EE3 PDF预览

PPF234EE3

更新时间： 2024-09-17 20:55:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-5

阅读下载

中文翻译

获取价格

PPF234EE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-PQCC-N3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PQCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PPF234EE3 数据手册

 浏览型号PPF234EE3的Datasheet PDF文件第2页 
A
b
o
u
t
N
e
w
C
o
n
t
a
c
t
E
m
p
l
o
y
m
e
S
i
t
e
H
o
m
k
e
y
e
w
o
r
d
p
m b e  
a
r
r
t
n
u
s
a
r
c
h
:
s
e
a
r
c
h
:
PPF  
2
3
4
E
(
#
4
5
7
4
3
)
P
S
a cka ge  
MD-. 5(S M)  
N
C
h
a
n
n
e
l
M
O
S
F
E
T
(
n
o
n
e
)
D
i
v
i
s
i
o
n
L
a
w
r
e
n
c
e
D
a
t
a
s
h
e
e
t
(
n
o
n
e
)
M
i
l
-
S
p
e
c
S
h
i
p
p
i
n
g
C
o
n
t
a
c
t
M
i
c
r
o
s
e
m
i
(
n
o
n
e
)
Q
u
a
l
D
a
t
a
M
a
x
i
m
u
m
E
l
e
c
t
r
i
c
a
l
R
a
t
i
n
g
S
y
m
b
o
l
M
a
x
U
n
i
t
B
r
e
a
k
d
o
w
n
V
o
l
t
a
g
e
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
B
VDSS  
2
5
0
V
D
r
a
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
C
o
n
t
i
n
u
o
u
s
)
(
T
=
=
1
0
0
º
C
)
I
I
1
D
4
.
5
A
A
(
T
2
5
º
C
)
2
D
7
.
5
A
A
P
o
w
e
r
D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n
P
1
5
0
W
D
T
h
e
r
m
a
l
R
e
s
i
s
t
a
nce  
,
J
u
n
c
t
i
on  
to  
C
a
s
e
R
θJ C  
0
.
8
3
º
C
/
W
a
t
t
E
l
e
c
t
ri  
c
al  
R
a
t
i
n
g
S
y
m
b
o
l
M
i
n
Ty  
p
M
a
x
U
n
i
t
S
t
a
t
i
c
D
r
a
i
n
to  
S
ource  
"on"  
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
R
DS(on)  
0
.
4
5
O
h
m
P
r
i
v
a
c
y
P
o
l
i
c
y
|
Sit  
e
Ma  
p
P
P
G
W
e
b
e
x
P
o
r
t
a
l
|
P
P
G
E
x
t
r
a
n
e
t
L
o
g
i
n
A
v
i
o
n
i
c
s
|
B
a
c
k
l
i
g
h
t
I
n
v
e
r
t
e
r
s
|
L
-
B
a
n
d
R
a
d
a
r
|
L
E
D
D
r
i
v
e
r
|
L
D
M
O
S
&
V
D
M
O
S
|
M
O
S
F
E
T
s
,
I
G
B
T
s
,
&
D
i
o
d
e
s
|
P
i
n
D
i
o
|
d
S
e
C
s
R
|
P
|
o
T
w
hy  
e
r
r
i
M
o
rs  
d
|
u
V
l
e
s
a
R
F
P
o
w
e
r
&
B
i
p
o
l
a
r
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
s
|
S
-
B
a
n
d
R
a
d
a
r
s
t
o
r
a
c
t
e
r
D
i
o
d
e
|
W
L
A
N
P
o
w
e
r
A
m
p
l
i
f
i
e
r
|
Z
e
n
e
r
D
i
o
d
e
|
P
o
E
|
P
o
E
I
C
s
12

中文翻译

下载PDF

与PPF234EE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPF240M MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF240ME3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF24N50 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF24N50E3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF24N50N MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF24N50NE3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF24N50P MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF24N50PE3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF250M MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
PPF250ME3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与PPF234EE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证