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PPF340JE3 PDF预览

PPF340JE3

更新时间： 2024-11-25 19:27:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB

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PPF340JE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (ID)：8.7 A最大漏源导通电阻：0.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AB
JESD-30 代码：S-XSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PPF340JE3 数据手册

 浏览型号PPF340JE3的Datasheet PDF文件第2页 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPF340M MICROSEMI

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