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PPF360M PDF预览

PPF360M

更新时间： 2024-11-25 21:17:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

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PPF360M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PPF360M 数据手册

 浏览型号PPF360M的Datasheet PDF文件第2页 
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与PPF360M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPF360ME3 MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
PPF360N MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF4200-1/01 DIALIGHT

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 		250V, 50Hz, SINGLE PHASE EMI FILTER
PPF4200-10/01 DIALIGHT

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 		250V, 50Hz, SINGLE PHASE EMI FILTER
PPF4200-16/01 DIALIGHT

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