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Datasheet > PPF360PE3
PPF360PE3 PDF预览

PPF360PE3

更新时间： 2024-11-25 20:07:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 140K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA

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PPF360PE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-P3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-259AA
JESD-30 代码：R-PSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PPF360PE3 数据手册

 浏览型号PPF360PE3的Datasheet PDF文件第2页 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPF3710M MICROSEMI

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