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Datasheet > PPF24N50P

PPF24N50P PDF预览

PPF24N50P

更新时间： 2024-11-21 19:36:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	139K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA, TO-259, 3 PIN

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PPF24N50P 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-259AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.23 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-259AA
JESD-30 代码：	R-XSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PPF24N50P 数据手册

浏览型号PPF24N50P的Datasheet PDF文件第2页

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与PPF24N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PPF24N50PE3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF250M	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
PPF250ME3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
PPF260M	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF260ME3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF3205J	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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PPF3205ME3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF3205N	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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