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Datasheet > PPF3205N

PPF3205N PDF预览

PPF3205N

更新时间： 2024-11-21 19:55:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN

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技术参数
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PPF3205N 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-258AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-258AA	JESD-30 代码：	R-XSFM-P3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PPF3205N 数据手册

浏览型号PPF3205N的Datasheet PDF文件第2页

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