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PPF3205JE3

更新时间： 2024-11-22 10:23:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, TO-257, 3 PIN

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PPF3205JE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257ABJESD-30 代码：S-XSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PPF3205JE3 数据手册

 浏览型号PPF3205JE3的Datasheet PDF文件第2页 
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与PPF3205JE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPF3205M MICROSEMI

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