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PPF260M

更新时间： 2024-11-25 20:07:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

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PPF260M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.92配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PPF260M 数据手册

 浏览型号PPF260M的Datasheet PDF文件第2页 
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与PPF260M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPF260ME3 MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF3205J MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF3205JE3 MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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PPF3205PE3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
PPF330E MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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