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PMBT3906M

更新时间: 2024-11-05 06:04:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 85K
描述
40 V, 200 mA PNP switching transistor

PMBT3906M 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-101
包装说明:1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.69Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PBCC-N3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz最大关闭时间(toff):300 ns
最大开启时间(吨):70 nsBase Number Matches:1

PMBT3906M 数据手册

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PMBT3906M  
40 V, 200 mA PNP switching transistor  
Rev. 01 — 22 July 2009  
Product data sheet  
BOTTOM VIEW  
1. Product profile  
1.1 General description  
PNP single switching transistor in a SOT883 (SC-101) leadless ultra small  
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
NPN complement: PMBT3904M.  
1.2 Features  
I Single general-purpose switching transistor  
I Board-space reduction  
I AEC-Q101 qualified  
I Ultra small SMD plastic package  
1.3 Applications  
I General-purpose switching and amplification  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
40  
Unit  
V
VCEO  
IC  
collector-emitter voltage open base  
collector current  
-
-
-
-
200  
300  
mA  
hFE  
DC current gain  
VCE = 1 V;  
IC = 10 mA  
100  
180  
2. Pinning information  
Table 2.  
Pinning  
Pin  
1
Description  
base  
Simplified outline  
Graphic symbol  
3
1
3
2
2
emitter  
3
collector  
1
Transparent  
top view  
2
sym013  

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