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PMBT3906MB

更新时间: 2023-09-03 20:32:09
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 248K
描述
40 V, 200 mA PNP switching transistorProduction

PMBT3906MB 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:CHIP CARRIER, R-PBCC-N3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.64
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PBCC-N3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1

PMBT3906MB 数据手册

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PMBT3906MB  
40 V, 200 mA PNP switching transistor  
2 February 2018  
Product data sheet  
1. General description  
PNP single switching transistor in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic package.  
NPN complement: PMBT3904MB.  
2. Features and benefits  
Single general-purpose switching transistor  
AEC-Q101 qualified  
Ultra small SMD plastic package  
Board-space reduction  
Low package height of 0.37 mm  
3. Applications  
General-purpose switching and amplification  
Mobile applications  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VCEO  
collector-emitter  
voltage  
open base  
-
-
-40  
V
IC  
collector current  
DC current gain  
-
-
-200  
300  
mA  
hFE  
VCE = -1 V; IC = -10 mA  
100  
180  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning information  
Pin  
1
Symbol Description  
Simplified outline  
Graphic symbol  
B
E
C
base  
3
1
2
3
2
emitter  
collector  
1
3
Transparent  
top view  
2
DFN1006B-3 (SOT883B)  
sym013  
 
 
 
 
 

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