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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.015 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PMBD6050,235 | NXP |
类似代替  |
PMBD6050 - High-speed diode TO-236 3-Pin |
|
| PMBD6050 | NXP |
功能相似 |
High-speed diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBD6100 | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed double diodeProduction |
|
| PMBD6100 | NXP |
获取价格 |
High-speed double diode |
|
| PMBD6100,215 | ETC |
获取价格 |
DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23 |
|
| PMBD6100212 | NXP |
获取价格 |
DIODE 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| PMBD6100-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
|
| PMBD6100T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
|
| PMBD7000 | NXP |
获取价格 |
High-speed double diode |
|
| PMBD7000 | NEXPERIA |
获取价格 |
Double high-speed switching diodeProduction |
|
| PMBD7000212 | NXP |
获取价格 |
100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| PMBD7000-215 | NXP |
获取价格 |
Double high-speed switching diode |
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