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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 85 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBD6100-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
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| PMBD6100T/R | NXP |
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DIODE 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
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| PMBD7000 | NXP |
获取价格 |
High-speed double diode |
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| PMBD7000 | NEXPERIA |
获取价格 |
Double high-speed switching diodeProduction |
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| PMBD7000212 | NXP |
获取价格 |
100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| PMBD7000-215 | NXP |
获取价格 |
Double high-speed switching diode |
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| PMBD7000-T | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
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| PMBD7000T/R | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| PMBD7100 | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed double diodeProduction |
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| PMBD7100 | NXP |
获取价格 |
High-speed double diode |
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