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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-N6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 最大击穿电压： | 5.9 V | 最小击穿电压： | 5.3 V |
| 配置： | COMMON ANODE, 5 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | MO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 25 W |
| 元件数量： | 5 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PESD3V3L5UF,115 | NXP |
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暂无描述 |
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| PESD3V3L5UV | NXP |
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Low capacitance 5-fold ESD protection diode arrays in SOT666 package |
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| PESD3V3L5UV,115 | NXP |
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PESDxL5UF; PESDxL5UV; PESDxL5UY - Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection d |
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| PESD3V3L5UVT/R | NXP |
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TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,UNIDIRECTIONAL,3.3V V(RWM),SOT-666 |
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| PESD3V3L5UY | NXP |
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Low capacitance 5-fold ESD protection diode arrays in SOT363 package |
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| PESD3V3L5UY | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arraysProduction |
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| PESD3V3L5UY | UMW |
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ESD/TVS 管 |
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| PESD3V3L5UYT/R | NXP |
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TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,UNIDIRECTIONAL,3.3V V(RWM),SOT-363 |
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| PESD3V3MS-SF | NEXPERIA |
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Ultra low clamping bidirectional ESD protection diodeProduction |
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| PESD3V3NW-SF | NEXPERIA |
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Extremely low capacitance bidirectional ESD protectionProduction |
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