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PESD3V3S1UB

更新时间： 2024-09-25 21:57:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
15页 110K
描述
ESD protection diodes in SOD 523 package

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PESD3V3S1UB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-79
包装说明：PLASTIC, SC-79, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：3.48
最大击穿电压：6 V最小击穿电压：5.2 V
击穿电压标称值：5.6 V最大钳位电压：20 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：330 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：3.3 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

PESD3V3S1UB 数据手册

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PESDxS1UB series  
ESD protection diodes in SOD 523 package  
Rev. 01 — 14 June 2004  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Unidirectional ESD protection diode in a SOD523 plastic package designed to protect one  
transmission or data line from the damage caused by ESD (Electro Static Discharge) and  
other transients.  
1.2 Features  
■ Unidirectional ESD protection of one line  
■ Max. peak pulse power: PPP = 330 W at tp = 8/20 µs  
■ Low clamping voltage: VCL = 20 V at IPP = 18 A  
■ Ultra low leakage current: IRM < 700 nA  
■ ESD protection > 23 kV  
■ IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)  
■ IEC 61000-4-5 (surge); IPP = 18 A at tp = 8/20 µs.  
1.3 Applications  
■ Computers and peripherals  
■ Communication systems  
■ Audio and video equipment  
■ Data lines  
■ CAN bus protection.  
1.4 Quick reference data  
Table 1:  
Symbol  
VRWM  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Value  
Unit  
reverse standoff voltage  
PESD3V3S1UB  
PESD5V0S1UB  
PESD12VS1UB  
PESD15VS1UB  
PESD24VS1UB  
3.3  
5
V
V
V
V
V
12  
15  
24  
1234567...15

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PESD3V3S1UB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SP1003-01DTG LITTELFUSE

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