是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PBCC-N6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
最大击穿电压: | 5.88 V | 最小击穿电压: | 5.32 V |
配置: | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PBCC-N6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 110 W | 元件数量: | 4 |
端子数量: | 6 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大重复峰值反向电压: | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PESD3V3S4UF,115 | NXP |
功能相似 |
PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF - Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays SON 6-Pin |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PESD3V3S4UF,115 | NXP |
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PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF - Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays SON 6-Pin | |
PESD3V3S4UF,132 | NXP |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 110W, 3.3V V(RWM), Unidirectional, 4 Element, Silicon | |
PESD3V3S5UD | NXP |
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Fivefold ESD protection diode arrays | |
PESD3V3S5UD | PHILIPS |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3.3V V(RWM), Unidirectional, | |
PESD3V3S5UD | NEXPERIA |
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Fivefold ESD protection diode arraysProduction | |
PESD3V3S5UD,115 | NXP |
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PESDxS5UD series - Fivefold ESD protection diode arrays TSOP 6-Pin | |
PESD3V3S5UD,125 | NXP |
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PESDxS5UD series - Fivefold ESD protection diode arrays TSOP 6-Pin | |
PESD3V3S5UD-Q | NEXPERIA |
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Fivefold ESD protection diode arrayProduction | |
PESD3V3T1BL | NEXPERIA |
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Bidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD3V3T1BLD | NEXPERIA |
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Bidirectional ESD protection diodeProduction |