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PESD3V3S2UQ PDF预览

PESD3V3S2UQ

更新时间： 2024-11-15 11:11:27
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安世 - NEXPERIA 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 670K
描述
Double ESD protection diode in SOT663 packageProduction

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PESD3V3S2UQ 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.78Is Samacsys：N
最大击穿电压：6 V最小击穿电压：5.2 V
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：150 W元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.425 W
最大重复峰值反向电压：3.3 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

PESD3V3S2UQ 数据手册

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PESDxS2UQ series  
Double ESD protection diodes in SOT663 package  
Rev. 04 — 26 January 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Unidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in a SOT663 ultra  
small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect  
up to two signal lines from the damage caused by ESD and other transients.  
1.2 Features  
„ Unidirectional ESD protection of up to  
„ ESD protection up to 30 kV  
„ IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)  
two lines  
„ Max. peak pulse power: PPP = 150 W  
at tp = 8/20 μs  
„ Low clamping voltage: VCL = 20 V  
„ IEC 61000-4-5 (surge); IPP = 15 A  
at tp = 8/20 μs  
at IPP = 15 A  
„ Low reverse leakage current: IRM < 1 nA  
1.3 Applications  
„ Computers and peripherals  
„ Audio and video equipment  
„ Communication systems  
„ High-speed data lines  
„ Parallel ports  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol Parameter  
VRWM reverse standoff voltage  
Quick reference data  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
PESD3V3S2UQ  
PESD5V0S2UQ  
PESD12VS2UQ  
PESD15VS2UQ  
PESD24VS2UQ  
diode capacitance  
PESD3V3S2UQ  
PESD5V0S2UQ  
PESD12VS2UQ  
PESD15VS2UQ  
PESD24VS2UQ  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3  
5
V
V
V
V
V
12  
15  
24  
Cd  
f = 1 MHz; VR = 0 V  
-
-
-
-
-
200  
150  
38  
275  
215  
100  
70  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
32  
23  
50  
1234567...13

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PESD3V3S2UQ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PESD3V3S2UQ NXP

类似代替

 Double ESD protection diodes in SOT663 package

与PESD3V3S2UQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PESD3V3S2UQT/R NXP

获取价格

 		TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,UNIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,3.3V V(RWM),SOT-663
PESD3V3S2UT NXP

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