PESD3V3S2UAT

更新时间： 2024-11-13 22:16:43

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恩智浦 - NXP		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
13页	121K
描述
Double ESD protection diodes in SOT23 package

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PESD3V3S2UAT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	6 V
最小击穿电压：	5.2 V	击穿电压标称值：	5.6 V
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	330 W
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	3.3 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

PESDxS2UAT series

Double ESD protection diodes

in SOT23 package

Product speciﬁcation

2004 Feb 18

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PESD3V3S2UQ	NXP	获取价格	Double ESD protection diodes in SOT663 package
PESD3V3S2UQ	NEXPERIA	获取价格	Double ESD protection diode in SOT663 packageProduction
PESD3V3S2UQT/R	NXP	获取价格	TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,UNIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,3.3V V(RWM),SOT-663
PESD3V3S2UT	NXP	获取价格	Double ESD protection diodes in SOT23 package
PESD3V3S2UT	NEXPERIA	获取价格	Double ESD protection diodeProduction
PESD3V3S2UT	UMW	获取价格	极性/通道数（Channel）:2-Line，Unidirectional;反向截止电压（
PESD3V3S2UT/T1	NXP	获取价格	DIODE 330 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, T
PESD3V3S2UT-Q	NEXPERIA	获取价格	Double ESD protection diodeProduction
PESD3V3S4UD	NXP	获取价格	Quadruple ESD protection diode arrays in a SOT457 package
PESD3V3S4UD	PHILIPS	获取价格	Transient Suppressor,