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PESD3V3S1UB

更新时间： 2024-09-27 11:15:27

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
12页	221K
描述
ESD protection diode in SOD523 packageProduction

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PESD3V3S1UB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.66	最大击穿电压：	6 V
最小击穿电压：	5.2 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	330 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	参考标准：	IEC-60134; IEC-61000-4-5
最大重复峰值反向电压：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PESD3V3S1UB 数据手册

PESD3V3S1UB

ESD protection diode in SOD523 package

11 April 2023

Product data sheet

1. General description

Unidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in a SOD523 plastic package

designed to protect one transmission or data line from the damage caused by ESD and other

transients.

2. Features and benefits

•

Unidirectional ESD protection of one line

•

Low clamping voltage: V_CL= 20 V at I_PPM= 18 A

ESD protection up to 30 kV

IEC 61000-4-5 (surge); I_PPM= 18 A at t_p= 8/20 µs

3. Application information

•

Computers and peripherals

Communication systems

Audio and video equipment

Data lines

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RWM

reverse standoff

voltage

T_amb= 25 °C

3.3

C_d

diode capacitance

f = 1 MHz; V_R= 0 V; T_amb= 25 °C

207

300

12 3 4 5 6 7...12

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PESD3V3S1UB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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