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| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 1 X 1.45 MM, 0.5 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6 | 针数： | 252 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.49 |
| Is Samacsys： | N | 最大击穿电压： | 5.9 V |
| 最小击穿电压： | 5.3 V | 击穿电压标称值： | 5.6 V |
| 最大钳位电压： | 10 V | 配置： | COMMON ANODE, 5 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | MO-252 | JESD-30 代码： | R-PDSO-N6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 25 W | 元件数量： | 5 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 3.3 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PESD3V3L5UF,115 | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
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| PESD3V3L5UV | NXP |
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Low capacitance 5-fold ESD protection diode arrays in SOT666 package |
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| PESD3V3L5UV,115 | NXP |
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PESDxL5UF; PESDxL5UV; PESDxL5UY - Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection d |
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| PESD3V3L5UVT/R | NXP |
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TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,UNIDIRECTIONAL,3.3V V(RWM),SOT-666 |
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| PESD3V3L5UY | NXP |
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Low capacitance 5-fold ESD protection diode arrays in SOT363 package |
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| PESD3V3L5UY | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arraysProduction |
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| PESD3V3L5UY | UMW |
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ESD/TVS 管 |
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| PESD3V3L5UYT/R | NXP |
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TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,UNIDIRECTIONAL,3.3V V(RWM),SOT-363 |
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| PESD3V3MS-SF | NEXPERIA |
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Ultra low clamping bidirectional ESD protection diodeProduction |
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| PESD3V3NW-SF | NEXPERIA |
获取价格 |
Extremely low capacitance bidirectional ESD protectionProduction |
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