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PESD3V3L4UG

更新时间: 2024-11-20 22:16:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 89K
描述
Low capacitance quadruple ESD protection diode array in SOT353 package

PESD3V3L4UG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-88A
包装说明:PLASTIC, SC-88A, SMD, 5 PIN针数:5
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.51
最大击穿电压:5.88 V最小击穿电压:5.32 V
击穿电压标称值:5.6 V最大钳位电压:12 V
配置:COMMON ANODE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:30 W元件数量:4
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:3.3 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PESD3V3L4UG 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
e
7  
PESDxL4UG series  
Low capacitance quadruple ESD  
protection diode array in SOT353  
package  
Product specification  
2004 Mar 23  

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