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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.57 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA114YQB-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistorsProduction |
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| PDTA114YQC-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistorsProduction |
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| PDTA114YS | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM |
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| PDTA114YT | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ |
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| PDTA114YT | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor |
|
| PDTA114YTT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
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| PDTA114YU | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM |
|
| PDTA114YU | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ |
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| PDTA114YU,115 | NXP |
获取价格 |
PDTA114Y series - PNP resistor-equipped trans |
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| PDTA115E | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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