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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-75 |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-75, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MUN5141T1G | ONSEMI |
功能相似  |
Digital Transistors (BRT) |
|
| PDTA115ET,215 | NXP |
功能相似 |
PDTA115E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm TO-236 3 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA115TE,115 | NXP |
获取价格 |
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 |
|
| PDTA115TK | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open |
|
| PDTA115TK,115 | NXP |
获取价格 |
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 |
|
| PDTA115TM | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open |
|
| PDTA115TM | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = openProduction |
|
| PDTA115TM,315 | NXP |
获取价格 |
PDTA115T series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = open DFN 3-Pin |
|
| PDTA115TMB | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ |
|
| PDTA115TS | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open |
|
| PDTA115TS,126 | NXP |
获取价格 |
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
|
| PDTA115TT | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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