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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-75 |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-75, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PDTA115ET,215 | NXP |
类似代替  |
PDTA115E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm TO-236 3 |
|
| PDTA115EU | NXP |
类似代替 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA115EE,115 | NXP |
获取价格 |
PDTA115E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm SC-75 3- |
|
| PDTA115EEF | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
|
| PDTA115EK | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
|
| PDTA115EM | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
|
| PDTA115EM | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhmProduction |
|
| PDTA115EM,315 | NXP |
获取价格 |
PDTA115E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm DFN 3-Pi |
|
| PDTA115EMB | NXP |
获取价格 |
20mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA |
|
| PDTA115EMB | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ |
|
| PDTA115ES | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
|
| PDTA115ET | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
|
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