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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-89 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.45 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTA115EK | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTA115EM | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTA115EM | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhmProduction |
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| PDTA115EM,315 | NXP |
获取价格 |
PDTA115E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm DFN 3-Pi |
|
| PDTA115EMB | NXP |
获取价格 |
20mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA |
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| PDTA115EMB | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ |
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| PDTA115ES | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTA115ET | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTA115ET | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhmProduction |
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| PDTA115ET,215 | NXP |
获取价格 |
PDTA115E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm TO-236 3 |
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