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PDM4M3120S20AM PDF预览

PDM4M3120S20AM

更新时间: 2024-02-11 22:13:37
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 108K
描述
SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72

PDM4M3120S20AM 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:20 ns其他特性:CAN ALSO BE CONFIGURED AS 1M X 32
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:72
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

PDM4M3120S20AM 数据手册

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PRELIMINARY  
PDM4M3120  
Package Dimensions  
ZIP Version  
1
2
SIDE VIEW  
FRONT VIEW  
3.950  
0.365  
0.590  
3
0.125  
0.020  
0.250  
0.100  
0.050  
0.100  
4
PIN 1  
BACK VIEW  
5
6
PIN 1  
7
SIMM Version  
SIDE VIEW  
0.350  
FRONT VIEW  
4.250  
3.984  
9
0.650  
0.400  
0.250  
0.250  
0.050  
PIN 1  
0.050  
10  
11  
12  
0.080  
BACK VIEW  
PIN 1  
Rev 1.1  
9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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SRAM Module, 256KX32, 15ns, CMOS, SIMM-72