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PDM4M3120S20AM

更新时间： 2024-02-21 10:51:38
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 108K
描述
SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72

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PDM4M3120S20AM 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：20 ns其他特性：CAN ALSO BE CONFIGURED AS 1M X 32
JESD-30 代码：R-XSMA-N72内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：72
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

PDM4M3120S20AM 数据手册

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PRELIMINARY  
PDM4M3120  
DC Electrical Characteristics (V = 3.3V ± 10%, T = 0°C to 70°C)  
CC  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
I
I
I
Input Leakage Current  
(Address)  
V
V
V
= Max.,V = V to V  
CC  
—
80  
µA  
LI  
CC  
IN  
SS  
Input Leakage Current  
(Data)  
= Max., V = V to V  
CC  
—
—
10  
10  
µA  
µA  
LI  
CC  
IN  
SS  
Output Leakage Current  
= V to V , V = Max.,  
SS CC CC  
LO  
OUT  
CS = V  
IH  
V
V
V
V
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
I
I
= 8 mA, V = Min.  
—
2.4  
2.2  
0.4  
—
V
V
V
V
OL  
OH  
IH  
OL  
OL  
CC  
= –4 mA, V = Min.  
CC  
6.0  
0.8  
(1)  
–0.5  
IL  
NOTE 1.  
V = –1.5V for pulse widths less than 10 ns, once per cycle.  
IL  
Power Supply Characteristics  
(1)  
Symbol  
Parameter  
Max  
Unit  
I
I
I
Operating Current  
900  
200  
85  
mA  
CC  
SB  
CS = V , V = Max., f = f , Outputs Open  
IL  
CC  
MAX  
Standby Current  
CS ≥ V , V = Max., f = f , Outputs Open  
MAX  
mA  
mA  
IH  
CC  
Full Standby CurrentCS ≥ V – 0.2V,  
SB1  
CC  
f = 0, V > V – 0.2V or < 0.2V, Outputs Open  
IN  
CC  
NOTE 1. Preliminary specification only.  
Capacitance(1) (T = +25°C, f = 1.0 MHz)  
A
Symbol  
Parameter  
Data I/O Capacitance, V = 0V  
Max.  
Unit  
C
15  
60  
75  
20  
pF  
pF  
pF  
pF  
I/O  
IN  
C
Input Capacitance, (Address) V = 0V  
IN  
IN(1)  
C
Input Capacitance, (WE, OE) V = 0V  
IN  
IN(2)  
C
Input Capacitance, (CS), V = 0V  
IN  
IN(3)  
NOTE 1. This parameter is determined by device characteristics but is not production tested.  
4
Rev 1.1  
1234567...10

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