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PDM4M3120S20AM

更新时间： 2024-01-16 01:36:50

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	108K
描述
SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72

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PDM4M3120S20AM 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	CAN ALSO BE CONFIGURED AS 1M X 32
JESD-30 代码：	R-XSMA-N72	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	72
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

PDM4M3120S20AM 数据手册

PRELIMINARY

PDM4M3120

(1,2,3,7)

Timing Waveforms of Write Cycle No.1 (

Controlled)

ADDRESS

(7)

(6)

WHZ

(6)

OHZ

OUT

(4)

Data Valid

(1,2,3,5)

Timing Waveforms of Write Cycle No.2 (

Controlled)

ADDRESS

Data Valid

NOTES

WE orCS must be HIGH during all address transitions.

2. A write occurs during the overlap (t ) of a LOWCS and a LOWWE.

is measured from the earlier ofCS orWE going HIGH to end the write cycle.

4. During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must be applied.

5. If the CS LOW transition occurs simultaneously with or after the WE LOW transition, the outputs

remain in a high-impedance state.

6. Transition is measured ±200 mV for steady state with a 5 pF load (including scope and jig). This

parameter is determined by device characteristics but is not production tested.

7. If OE is LOW during aWE controlled write cycle, the write pulse width must be the larger of t or

+ t ) to allow the I/O drivers to turn off and data to be placed on the bus for the required t

WHZ

If OE is HIGH during aWE controlled write cycle, this requirement does not apply and the write

pulse width can be as short as the speciﬁed t

Rev 1.1

1...5 6 789 10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDM4M3120S20M	IXYS	获取价格	SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, SIMM-72
PDM4M4030S25AM	IXYS	获取价格	SRAM
PDM4M4050S10AM	IXYS	获取价格	SRAM
PDM4M4050S15M	IXYS	获取价格	SRAM
PDM4M4060S10AM	IXYS	获取价格	SRAM Module, 256KX32, 10ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72
PDM4M4060S10M	IXYS	获取价格	SRAM Module, 256KX32, 10ns, CMOS, SIMM-72
PDM4M4060S12AM	IXYS	获取价格	SRAM Module, 256KX32, 12ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72
PDM4M4060S12M	IXYS	获取价格	SRAM Module, 256KX32, 12ns, CMOS, SIMM-72
PDM4M4060S15AM	IXYS	获取价格	SRAM Module, 256KX32, 15ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72
PDM4M4060S15M	IXYS	获取价格	SRAM Module, 256KX32, 15ns, CMOS, SIMM-72

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