PBYR6045WT

更新时间： 2024-11-29 22:09:03

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恩智浦 - NXP		整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	54K
描述
Rectifier diodes Schottky barrier

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PBYR6045WT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.76 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	384 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

PBYR6045WT 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

Schottky barrier

PBYR6045WT series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Reverse surge capability

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_R= 40 V/ 45 V

I_F(AV)= 60 A

V_F≤ 0.58 V

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT429 (TO247)

Dual, common cathode schottky

DESCRIPTION

anode 1 (a)

cathode (k)

rectifier diodes in

plastic

envelope. Intended for use as

output rectifiers in low voltage, high

frequency switched mode power

supplies.

anode 2 (a)

cathode

The PBYR6045WT series is

supplied in the conventional leaded

SOT429 (TO247) package.

tab

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

PBYR60

40WT

45WT

V_RRM

V_RWM

Peak repetitive reverse

voltage

Working peak reverse

voltage

Continuous reverse voltage

V_R

_mb≤ 109 ˚C

I_O(AV)

Average rectified output

current (both diodes

conducting)

square wave; δ = 0.5; T_mb≤ 105 ˚C

I_FRM

I_FSM

Repetitive peak forward

currentper diode

square wave; δ = 0.5; T_mb≤ 105 ˚C

Non-repetitive peak forward t = 10 ms

400

435

current per diode

t = 8.3 ms

sinusoidal; T_j= 125 ˚C prior to

surge; with reapplied V_RRM(max)

pulse width and repetition rate

limited by T_{j max}

I_RRM

T_j

Peak repetitive reverse

surge current per diode

Operating junction

temperature

150

˚C

T_stg

Storage temperature

- 65

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

R_{th j-a}

Thermal resistance junction per diode

K/W

to mounting base

both diodes

0.75 K/W

Thermal resistance junction in free air

to ambient

K/W

December 1998

Rev 1.000

12 3 4 5

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PBYR6045WT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MBR6045WTG	ONSEMI	功能相似	SWITCHMODE Power Rectifier
STPS6045CW	STMICROELECTRONICS	功能相似	POWER SCHOTTKY RECTIFIER
DSSK80-0045B	IXYS	功能相似	Power Schottky Rectifier with common cathode

与PBYR6045WT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PBYR620CTD	NXP	获取价格	Rectifier diodes Schottky barrier
PBYR625CTD	NXP	获取价格	Rectifier diodes Schottky barrier
PBYR625CTD/T3	NXP	获取价格	3A, 25V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR635CT	NXP	获取价格	Rectifier diodes Schottky barrier
PBYR6-35CT	NXP	获取价格	DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
PBYR635CT-45CT	NXP	获取价格	10A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR635CTD	NXP	获取价格	5A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR635CTD/T3	NXP	获取价格	5A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR640CT	NXP	获取价格	Rectifier diodes Schottky barrier
PBYR6-40CT	NXP	获取价格	DIODE 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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