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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | WITHSTAND REVERSE VOLTAGE TRANSIENTS, SURGE CAPABILITY | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 最大非重复峰值正向电流： | 88 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大输出电流： | 10 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 35 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBYR635CT-45CT | NXP |
获取价格 |
10A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| PBYR635CTD | NXP |
获取价格 |
5A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| PBYR635CTD/T3 | NXP |
获取价格 |
5A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| PBYR640CT | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes Schottky barrier |
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| PBYR6-40CT | NXP |
获取价格 |
DIODE 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| PBYR640CTD | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes Schottky barrier |
|
| PBYR640CTD/T3 | NXP |
获取价格 |
6A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| PBYR645CT | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes Schottky barrier |
|
| PBYR6-45CT | NXP |
获取价格 |
DIODE 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| PBYR645CTD | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes Schottky barrier |
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