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PBYR7-35B PDF预览

PBYR7-35B

更新时间： 2024-11-30 14:35:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 34K
描述
7.5A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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PBYR7-35B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：SURGE CAPABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：7.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

PBYR7-35B 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
schottky barrier  
PBYR745B series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Low leakage, platinum barrier,  
schottky rectifier diodes in a plastic  
envelope suitable for surface  
mounting, featuring low forward  
voltage drop, absence of stored  
charge. and guaranteed reverse  
surge capability. The devices are  
intended for use in switched mode  
power supplies and high frequency  
circuits in general where low  
conductionand zero switchinglosses  
are important.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
PBYR7-  
35B  
35  
40B  
40  
45B  
45  
VRRM  
Repetitive peak reverse  
voltage  
V
VF  
IF(AV)  
Forward voltage  
0.57  
7.5  
0.57  
7.5  
0.57  
7.5  
V
A
Average forward current  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
no connection  
mb  
k
tab  
a
3
2
cathode  
anode  
3
2
mb cathode  
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN.  
MAX.  
UNIT  
-35  
35  
35  
35  
-40  
40  
40  
40  
-45  
45  
45  
45  
VRRM  
VRWM  
VR  
Repetitive peak reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Tmb ≤ 139 ˚C  
IF(AV)  
Average forward current  
square wave; δ = 0.5;  
-
7.5  
A
T
mb ≤ 136 ˚C  
IF(RMS)  
IFRM  
RMS forward current  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
-
11  
15  
A
A
T
mb ≤ 136 ˚C  
IFSM  
Non-repetitive peak forward  
current  
t = 10 ms  
-
-
135  
150  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 125 ˚C prior  
to surge; with reapplied  
VRRM(max)  
I2t  
I2t for fusing  
t = 10 ms  
-
-
-
91  
1
A2s  
A
IRRM  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
IRSM  
Non-repetitive peak reverse  
current  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
tp = 100 µs  
1
A
Tstg  
Tj  
-65  
-
175  
150  
˚C  
˚C  
August 1996  
1
Rev 1.000  
12345

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与PBYR7-35B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBYR7-35BT/R NXP

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 		7.5A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR7-35BT/R PHILIPS

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 7.5A, 35V V(RRM),
PBYR735D PHILIPS

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 7.5A, 35V V(RRM),
PBYR735F NXP

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 		暂无描述
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