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PBYR7-45B PDF预览

PBYR7-45B

更新时间： 2024-12-02 07:53:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 41K
描述
DIODE 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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PBYR7-45B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.42
其他特性：SURGE CAPABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：7.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE

PBYR7-45B 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
Schottky barrier  
PBYR745B, PBYR745D series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VR = 40 V/ 45 V  
IF(AV) = 7.5 A  
VF ≤ 0.57 V  
k
tab  
a
3
GENERAL DESCRIPTION  
Schottky rectifier diodes in a surface mounting plastic envelope. Intended for use as output rectifiers in low voltage,  
high frequency switched mode power supplies.  
The PBYR745B series is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
The PBYR745D series is supplied in the SOT428 surface mounting package.  
PINNING  
SOT404  
SOT428  
PIN  
DESCRIPTION  
no connection  
cathode1  
tab  
tab  
1
2
3
anode  
2
2
1
3
1
3
tab  
cathode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
PBYR7  
PBYR7  
40B  
45B  
40D  
45D  
VRRM  
VRWM  
Peak repetitive reverse  
-
-
40  
45  
V
V
voltage  
Working peak reverse  
voltage  
Continuous reverse voltage  
40  
40  
45  
45  
VR  
T
mb ≤ 114 ˚C  
-
-
V
A
IF(AV)  
Average rectified forward  
current  
square wave; δ = 0.5; Tmb ≤ 136 ˚C  
7.5  
15  
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward  
current  
square wave; δ = 0.5; Tmb ≤ 136 ˚C  
-
A
Non-repetitive peak forward t = 10 ms  
PBYR7..B  
PBYR7..D  
-
-
-
-
135  
150  
100  
110  
A
A
A
A
current  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 125 ˚C prior to  
surge; with reapplied VRRM(max)  
pulse width and repetition rate  
limited by Tj max  
IRRM  
Tj  
Peak repetitive reverse  
surge current  
-
-
1
A
Operating junction  
temperature  
150  
175  
˚C  
˚C  
Tstg  
Storage temperature  
- 65  
1. It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 or SOT428 package.  
July 1998  
1
Rev 1.200  
123456

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与PBYR7-45B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBYR745B/T3 NXP

获取价格

 		7.5A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR745BT/R NXP

获取价格

 		7.5A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-3
PBYR7-45BT/R NXP

获取价格

 		7.5A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-3
PBYR745D NXP

获取价格

 		Rectifier diodes Schottky barrier
PBYR745D/T3 NXP

获取价格

 		7.5A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR745F NXP

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 		Rectifier diodes Schottky barrier
PBYR745F YAGEO

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon
PBYR7-45F NXP

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 		DIODE 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, FULL PACK-2, Rectifier Diode
PBYR745X NXP

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 		Rectifier diodes schottky barrier
PBYR7-45X NXP

获取价格

 		DIODE 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, FULL PACK-2, Rectifier Diode

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