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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> PBYR745B
PBYR745B PDF预览

PBYR745B

更新时间： 2024-11-30 22:09:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
Rectifier diodes Schottky barrier

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PBYR745B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.78
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.57 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：7.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

PBYR745B 数据手册

 浏览型号PBYR745B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PBYR745B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PBYR745B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PBYR745B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PBYR745B的Datasheet PDF文件第6页 
Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
Schottky barrier  
PBYR745B, PBYR745D series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VR = 40 V/ 45 V  
IF(AV) = 7.5 A  
VF ≤ 0.57 V  
k
tab  
a
3
GENERAL DESCRIPTION  
Schottky rectifier diodes in a surface mounting plastic envelope. Intended for use as output rectifiers in low voltage,  
high frequency switched mode power supplies.  
The PBYR745B series is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
The PBYR745D series is supplied in the SOT428 surface mounting package.  
PINNING  
SOT404  
SOT428  
PIN  
DESCRIPTION  
no connection  
cathode1  
tab  
tab  
1
2
3
anode  
2
2
1
3
1
3
tab  
cathode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
PBYR7  
PBYR7  
40B  
45B  
40D  
45D  
VRRM  
VRWM  
Peak repetitive reverse  
-
-
40  
45  
V
V
voltage  
Working peak reverse  
voltage  
Continuous reverse voltage  
40  
40  
45  
45  
VR  
T
mb ≤ 114 ˚C  
-
-
V
A
IF(AV)  
Average rectified forward  
current  
square wave; δ = 0.5; Tmb ≤ 136 ˚C  
7.5  
15  
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward  
current  
square wave; δ = 0.5; Tmb ≤ 136 ˚C  
-
A
Non-repetitive peak forward t = 10 ms  
PBYR7..B  
PBYR7..D  
-
-
-
-
135  
150  
100  
110  
A
A
A
A
current  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 125 ˚C prior to  
surge; with reapplied VRRM(max)  
pulse width and repetition rate  
limited by Tj max  
IRRM  
Tj  
Peak repetitive reverse  
surge current  
-
-
1
A
Operating junction  
temperature  
150  
175  
˚C  
˚C  
Tstg  
Storage temperature  
- 65  
1. It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 or SOT428 package.  
July 1998  
1
Rev 1.200  
123456

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与PBYR745B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBYR7-45B NXP

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 		DIODE 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
PBYR745B/T3 NXP

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 		7.5A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR745BT/R NXP

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 		7.5A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-3
PBYR7-45BT/R NXP

获取价格

 		7.5A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-3
PBYR745D NXP

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 		Rectifier diodes Schottky barrier
PBYR745D/T3 NXP

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 		7.5A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR745F NXP

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 		Rectifier diodes Schottky barrier
PBYR745F YAGEO

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon
PBYR7-45F NXP

获取价格

 		DIODE 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, FULL PACK-2, Rectifier Diode
PBYR745X NXP

获取价格

 		Rectifier diodes schottky barrier

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