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PBYR640CTD PDF预览

PBYR640CTD

更新时间： 2024-11-29 22:09:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 49K
描述
Rectifier diodes Schottky barrier

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PBYR640CTD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.87应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.94 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：70 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

PBYR640CTD 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
Schottky barrier  
PBYR645CTD series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VR = 40 V/ 45 V  
IO(AV) = 6 A  
a1  
1
a2  
3
k
2
VF ≤ 0.6 V  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT428  
Dual schottky rectifier diodes  
intended for use as output rectifiers  
in low voltage, high frequency  
switched mode power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode1  
tab  
1
2
The PBYR645CTD series is  
supplied in the SOT428 surface  
mounting package.  
3
anode 2  
cathode  
2
tab  
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
PBYR6  
40CTD  
45CTD  
VRRM  
VRWM  
Peak repetitive reverse volt-  
-
-
40  
40  
40  
45  
V
V
age  
Working peak reverse volt-  
age  
Continuous reverse voltage  
45  
45  
VR  
T
mb ≤ 113 ˚C  
-
-
V
A
IO(AV)  
Average rectified output cur- square wave; δ = 0.5;  
rent (both diodes conducting) Tmb ≤ 134 ˚C  
6
6
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward cur- square wave; δ = 0.5;  
-
A
rent per diode  
Tmb ≤ 134 ˚C  
Non-repetitive peak forward t = 10 ms  
-
-
65  
70  
A
A
current per diode  
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 125 ˚C prior to  
surge; with reapplied VRRM(max)  
pulse width and repetition rate  
limited by Tj max  
IRRM  
Tj  
Peak repetitive reverse  
surge current per diode  
Operating junction tempera-  
ture  
-
-
1
A
150  
175  
˚C  
˚C  
Tstg  
Storage temperature  
- 65  
1 it is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package  
September 1998  
1
Rev 1.100  
 
 
12345

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与PBYR640CTD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBYR640CTD/T3 NXP

获取价格

 		6A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR645CT NXP

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 		Rectifier diodes Schottky barrier
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