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PBYR7020WT

更新时间： 2024-11-29 22:09:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 54K
描述
Rectifier diodes Schottky barrier

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PBYR7020WT 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.84应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.46 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：550 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：35 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

PBYR7020WT 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
Schottky barrier  
PBYR7025WT series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VR = 20 V / 25 V  
IO(AV) = 70 A  
a1  
1
a2  
3
k
2
VF ≤ 0.46 V  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT429 (TO247)  
Dual, common cathode schottky  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1 (a)  
cathode (k)  
rectifier diodes in  
a
plastic  
envelope. Intended for use as  
output rectifiers in low voltage, high  
frequency switched mode power  
supplies.  
1
2
3
anode 2 (a)  
cathode  
The PBYR7025WT series is  
supplied in the conventional leaded  
SOT429 (TO247) package.  
tab  
2
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-20  
20  
20  
20  
-25  
VRRM  
VRWM  
VR  
Repetitive peak reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
25  
25  
25  
V
V
V
Tmb ≤ 116 ˚C  
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average output current (both  
diodes conducting)  
square wave; δ = 0.5;  
-
70  
70  
A
Tmb ≤ 114 ˚C  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
A
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current, per diode  
Tmb ≤ 114 ˚C  
t = 10 ms  
-
-
500  
550  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal Tj = 125 ˚C prior  
to surge; with reapplied  
VRRM(max)  
IRRM  
IRSM  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
-
-
2
2
A
A
per diode  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
-65  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
Operating junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to per diode  
-
-
-
-
-
45  
0.9  
0.65  
-
K/W  
K/W  
K/W  
mounting base  
both diodes  
Thermal resistance junction to in free air  
ambient  
December 1998  
1
Rev 1.000  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBYR7025WT NXP

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