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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.88 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.44 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 最大非重复峰值正向电流： | 70 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 20 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBYR625CTD | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes Schottky barrier |
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| PBYR625CTD/T3 | NXP |
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3A, 25V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| PBYR635CT | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes Schottky barrier |
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| PBYR6-35CT | NXP |
获取价格 |
DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
|
| PBYR635CT-45CT | NXP |
获取价格 |
10A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
|
| PBYR635CTD | NXP |
获取价格 |
5A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| PBYR635CTD/T3 | NXP |
获取价格 |
5A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| PBYR640CT | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes Schottky barrier |
|
| PBYR6-40CT | NXP |
获取价格 |
DIODE 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
|
| PBYR640CTD | NXP |
获取价格 |
Rectifier diodes Schottky barrier |
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