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PBYR625CTD/T3

更新时间： 2024-11-30 19:36:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 43K
描述
3A, 25V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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PBYR625CTD/T3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：70 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：25 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

PBYR625CTD/T3 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
Schottky barrier  
PBYR625CTD series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VR = 20 V/ 25 V  
IO(AV) = 6 A  
a1  
1
a2  
3
k
2
VF ≤ 0.44 V  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT428  
Dual schottky rectifier diodes  
intended for use as output rectifiers  
in low voltage, high frequency  
switched mode power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode1  
tab  
1
2
The PBYR625CTD series is  
supplied in the SOT428 surface  
mounting package.  
3
anode 2  
cathode  
2
tab  
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
PBYR6  
20CTD  
25CTD  
VRRM  
VRWM  
Peak repetitive reverse  
-
-
20  
25  
V
V
voltage  
Working peak reverse  
voltage  
Continuous reverse voltage  
20  
20  
25  
25  
VR  
T
mb ≤ 124 ˚C  
-
-
V
A
IO(AV)  
Average rectified forward  
current (both diodes  
conducting)  
square wave; δ = 0.5; Tmb ≤ 138 ˚C  
6
6
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward  
current per diode  
square wave; δ = 0.5; Tmb ≤ 138 ˚C  
-
A
Non-repetitive peak forward t = 10 ms  
-
-
65  
70  
A
A
current per diode  
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 125 ˚C prior to  
surge; with reapplied VRRM(max)  
pulse width and repetition rate  
limited by Tj max  
IRRM  
Tj  
Peak repetitive reverse  
surge current per diode  
Operating junction  
temperature  
-
-
1
A
150  
175  
˚C  
˚C  
Tstg  
Storage temperature  
- 65  
1 it is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package  
March 1998  
1
Rev 1.000  
12345

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与PBYR625CTD/T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBYR635CT NXP

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 		Rectifier diodes Schottky barrier
PBYR6-35CT NXP

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 		DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
PBYR635CT-45CT NXP

获取价格

 		10A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR635CTD NXP

获取价格

 		5A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE
PBYR635CTD/T3 NXP

获取价格

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PBYR640CT NXP

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