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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBR6045WTG
MBR6045WTG PDF预览

MBR6045WTG

更新时间： 2024-11-12 11:11:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
SWITCHMODE Power Rectifier

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MBR6045WTG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-247AC包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 340L-02, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.94
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：224966Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-247 CASE 340ALSamacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39
Is Samacsys：N应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：500 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MBR6045WTG 数据手册

 浏览型号MBR6045WTG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR6045WTG的Datasheet PDF文件第3页 
MBR6045WT  
SWITCHMODEt  
Power Rectifier  
The SWITCHMODE power rectifier employs the use of the  
Schottky Barrier principle with a Platinum barrier metal.  
Features  
http://onsemi.com  
• Dual Diode Construction; Terminals 1 and 3 May Be Connected for  
Parallel Operation at Full Rating  
• 45 V Blocking Voltage  
• Low Forward Voltage Drop  
• Guard−ring for Stress Protection and High dv/dt Capability (> 10 V/ns)  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• Pb−Free Package is Available*  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
60 AMPERES, 45 VOLTS  
1
2, 4  
3
Mechanical Characteristics  
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight: 4.3 Grams (Approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
• Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
1
TO−247  
CASE 340L  
STYLE 2  
2
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
45  
V
RRM  
RWM  
R
MARKING DIAGRAM  
Average Rectified Forward Current  
I
A
F(AV)  
30  
60  
(Rated V , T = 125°C)  
Per Diode  
Per Device  
R
C
Peak Repetitive Forward Current,  
(Rated V , Square Wave,  
I
60  
500  
2.0  
A
A
A
FRM  
R
MBR6045WT  
AYWWG  
20 kHz, T = 90°C)  
Per Diode  
C
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load Conditions  
Halfwave, Single Phase, 60 Hz)  
I
FSM  
RRM  
Peak Repetitive Reverse Current  
(2.0 ms, 1.0 kHz)  
I
Storage Temperature Range  
T
−65 to +175  
−65 to +175  
175  
°C  
°C  
°C  
stg  
Operating Junction Temperature (Note 1)  
T
J
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Peak Surge Junction Temperature  
(Forward Current Applied)  
T
J(pk)  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Voltage Rate of Change  
dv/dt  
10,000  
V/ms  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from  
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Ambient: dP /dT < 1/R .  
q
JA  
D
J
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
MBR6045WT  
TO−247  
30 Units/Rail  
30 Units/Rail  
MBR6045WTG  
TO−247  
(Pb−Free)  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
March, 2010 − Rev. 9  
MBR6045WT/D  
 
123

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MBR6045WTG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR6045WT ONSEMI

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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