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MBR6060

更新时间： 2024-11-13 02:55:19

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GENESIC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	807K
描述
Silicon Power Schottky Diode

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MBR6060 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	O-MUPM-D1	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.53	应用：	POWER
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.75 V	JEDEC-95代码：	DO-5
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	700 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	60 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	5000 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

MBR6060 数据手册

MBR6045 thru MBR60100R

V_RRM= 45 V - 100 V

I_F= 60 A

Silicon Power

Schottky Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 45 V to 100 V V_RRM

DO-5 Package

• Not ESD Sensitive

Note:

1. Standard polarity: Stud is cathode.

2. Reverse polarity (R): Stud is anode.

3. Stud is base.

Stud Stud

(R)

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Conditions

MBR6080 (R) MBR60100 (R)

Parameter

Symbol

MBR6045 (R) MBR6060 (R)

Unit

V_RRM

V_RMS

V_DC

I_F

100

Repetitive peak reverse voltage

RMS reverse voltage

100

DC blocking voltage

T_C≤ 100 °C

Continuous forward current

Surge non-repetitive forward

current, Half Sine Wave

I_F,SM

T_C= 25 °C, t_p= 8.3 ms

700

T_j

-55 to 150

Operating temperature

Storage temperature

-55 to 150

°C

T_stg

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

MBR6080 (R) MBR60100 (R)

Parameter

Symbol

MBR6045 (R) MBR6060(R)

Unit

V_F

I_R

I_F= 60 A, T_j= 25 °C

V_R= 20 V, T_j= 25 °C

V_R= 20 V, T_j= 125 °C

0.84

Diode forward voltage

Reverse current

0.65

0.75

150

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction -

case

R_thJC

1.0

°C/W

Oct. 2018

http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/mbr6045.pdf

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