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MBR6060

更新时间： 2024-01-30 00:30:53

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NAINA		二极管
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2页	123K
描述
Schottky Power Diode, 60A

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MBR6060 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	O-MUPM-D1	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.54	应用：	POWER
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.75 V	JEDEC-95代码：	DO-5
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	700 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	60 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	5000 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

MBR6060 数据手册

MBR6045 thru

MBR60100R

Naina Semiconductor Ltd.

Schottky Power Diode, 60A

Features

•

Fast Switching

Low forward voltage drop

High surge capability

High efficiency, low power loss

Normal and Reverse polarity

DO-203AB (DO-5)

Maximum Ratings (T_J= 25^oC, unless otherwise noted)

Test

Conditions

Parameter

Symbol MBR6045(R) MBR6060(R) MBR6080(R) MBR60100(R) Unit

Repetitive peak reverse voltage

RMS reverse voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

I_F

100

DC blocking voltage

100

Continuous forward current

T_C≤ 100^oC

T_C= 25^oC

Surge non-repetitive forward

current, half-sine wave

I_FSM

V_F

700

0.65

700

0.75

700

0.84

700

0.84

I_F= 60 A

T_J= 25^oC

Forward voltage

V_R= 20V,

T_J= 25^oC

Reverse current

I_R

V_R= 20V,

T_J= 125^oC

150

Thermal & Mechanical Specifications (T_J= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameters

Symbol MBR6045(R) MBR6060(R) MBR6080(R) MBR60100(R)

Unit

Maximum thermal resistance, junction to

case

R_th(JC)

1.0

^oC/W

Operating junction temperature range

Storage temperature

T_J

T_stg

-65 to 150

-65 to 175

4.0

^oC

Mounting torque (non-lubricated threads)

Approximate allowable weight

17.0

D-95, Sector 63, Noida – 201301, India

•

Tel: 0120-4205450

•

Fax: 0120-4273653

sales@nainasemi.com

•

www.nainasemi.com

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