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MBR6050PT-G PDF预览

MBR6050PT-G

更新时间： 2024-01-02 10:15:48
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 77K
描述
Schottky Barrier Rectifier

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MBR6050PT-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：500 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：3000 µA
反向测试电压：50 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR6050PT-G 数据手册

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Schottky Barrier Rectifier  
MBR6050PT-G Thru. MBR60100PT-G  
Reverse Voltage: 50 to 100V  
Forward Current: 60.0A  
RoHS Device  
Features  
-Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction.  
TO-3P  
0.646(16.40)  
0.203(5.16)  
0.193(4.90)  
0.626(15.90)  
0.134(3.40)  
0.244(6.20)  
0.224(5.70)  
0.114(2.90)  
0.085(2.16)  
0.075(1.90)  
-Low power loss, high efficiency.  
-High current capability, low forward voltage drop.  
-Guardring for overvoltage protection.  
-High surge capacity.  
-For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling,and polarity protection applications.  
0.091(2.30)  
0.078(1.97)  
0.858(21.80)  
0.819(20.80)  
Mechanical Data  
0.095(2.40)  
0.083(2.10)  
-Epoxy: UL 94-V0 rate flame retardant.  
-Case: JEDEC TO-3P/TO-247AD, molded plastic body  
-Polarity: As marked on the body.  
-Mounting position: Any  
0.127(3.22)  
0.161(4.10)  
0.138(3.50)  
0.117(2.97)  
0.086(2.18)  
0.076(1.93)  
0.795(20.20)  
0.776(19.70)  
0.030(0.76)  
0.020(0.51)  
-Weight: 5.6 grams  
0.224(5.70)  
0.205(5.20)  
0.048(1.22)  
0.044(1.12)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR6050  
PT-G  
MBR6060  
PT-G  
MBR60100  
PT-G  
Symbol  
Unit  
Parameter  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
V
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
Maximum Average Forward Rectified Current  
@Tc=125°C  
I
(AV)  
60  
A
A
Peak Forward Surage Current , 8.3ms Single  
Half Sine-Wave Super Imposed On Rated  
Load (JEDEC Method)  
IFSM  
500  
IF=30A, TC=25°C  
V
F
0.72  
0.62  
1.0  
V
Maximum Instantaneous  
Forward Voltage at  
IF=30A, TC=125°C  
(Note 1)  
VF  
V
Maximum DC Reverse  
CurrentAt Rate DC  
Blocking Voltage  
@TJ=25°C  
IR  
mA  
mA  
@TJ=100°C  
IR  
100  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Notes:  
RθJC  
1.2  
°C/W  
°C  
TJ  
-65 to +150  
-65 to +175  
TSTG  
°C  
1. Pulse Test: 300us pulse width,1% duty cycle.  
2. Thermal resistance from junction to case per leg.  
REV: A  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
Page 1  
QW-BB054  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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